Ixbt.com nashri xabariga ko‘ra, tayvanlik olimlar mikroelektronika sanoati uchun katta ahamiyatga ega bo‘lgan texnologik yangilikni taqdim etishdi. Bu haqda Zamin.uz xabar berdi.
Tadqiqotchilar guruhi ikki o‘lchamli yarimo‘tkazgichlar negizida qurilgan tranzistorlarning ishlash samaradorligini oshirishga to‘sqinlik qilayotgan asosiy muammolardan birini bartaraf etishga muvaffaq bo‘lishdi. Mutaxassislar tomonidan ishlab chiqilgan o‘ta yupqa bufer qatlami mazkur qurilmalarning texnik imkoniyatlarini yangi bosqichga olib chiqishi kutilmoqda.
Ushbu himoya qatlami alyuminiy oksididan tashkil topgan bo‘lib, uning qalinligi atigi 0,42 nanometrni tashkil etadi. Amalda bir necha atom qalinligiga teng bo‘lgan mazkur qatlam izolyator va o‘tkazuvchi kanal o‘rtasidagi o‘zaro ta’sirni optimallashtirish vazifasini bajaradi.
Ilmiy ishlanma yarimo‘tkazgichli materiallar yuzasida yuzaga keladigan nuqsonlarni kamaytirish hamda elektron harakatini barqarorlashtirish imkonini beradi. Mazkur yondashuv kelajakda yanada ixcham va energiya tejamkor mikroprotsessorlar hamda yuqori tezlikda ishlovchi elektron komponentlarni yaratishda muhim poydevor bo‘lib xizmat qiladi.
Tayvanlik tadqiqotchilarning ushbu kashfiyoti zamonaviy chipsozlik texnologiyalarini rivojlantirish yo‘lidagi muhim qadam sifatida baholanmoqda.
Izohlar
0